哈工大连续“捅破天”

近日，哈工大宣布，利用“电能转化等离子体线路技术”，研发出了DPP-EUV光源。而EUV光源，也正是EUV光刻机的核心部件。哈工大这次的技术类似荷兰阿斯麦在EUV光刻机上采用的技术，都是利用放电让氙或锡等元素形成等离子体，再经过多次反射，发出EUV光线。拥有这项“捅破天”的技术，也意味着我们初步掌握了EUV光刻机所需的光源制造，朝着EUV光刻机的核心技术又进了一步。


去年，哈工大还研制出了“高速超精密激光干涉仪”，并且获得了首届“金燧奖”。这台并不直接用于芯片生产的设备却对光刻机的生产有着重要作用。光刻机的主要部件包括激光光源、物镜系统和工作台三部分，而且这三个部分必须精确配合。高端光刻机需要更精确的测量，以便对设备进行定位，而这台激光干涉仪正是作为测量设备，对光刻机的生产进行“保驾护航”的。


光刻机核心系统主要包括光源、物镜和双工作台。在物镜方面，长春光机所突破了“光学投影物镜” 的关键技术；在双工作台方面，华卓精科也已经取得了重大突破。三大核心部件，光源是最后也是最重要的那一块“拼图”。现在，哈工大终于给出了突破性的成果，这也就意味着，EUV光刻机三大部件我们都有能力进行自主生产，朝着全面自主研发的EUV光刻机的目标又前进了一大步。


生产一台EUV光刻机需要10万个以上的零部件，过程极为复杂，目前全球只有荷兰阿斯麦公司能生产。但阿斯麦自己的技术只占了10%的比例，还需要大量采用美国和德国等国的专利和零部件，而美国也正是凭借这一理由，限制阿斯麦向中国出口EUV光刻机。2018年中芯国际下单的EUV光刻机，现在阿斯麦都没供货。

中芯国际目前可以生产14纳米芯片，正在朝7纳米前进。虽然用DUV光刻机可以实现这一目标，但是良品率和成本控制都不够理想，所以仍然需要EUV光刻机来实现量产，因此研发EUV光刻机也就成了一项紧迫的任务。